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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-13 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-13 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2056U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:940mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:339pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0LFB-7 起订47个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0LFB-7 起订47个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0LFB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.45nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@25V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UTS-13 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UTS-13 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2011UTS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2248pF@10V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1008UFDF-13

    导通电阻:8mΩ@5A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:23.4nC@8V

    类型:N沟道

    输入电容:995pF@6V

    漏源电压:12V

    连续漏极电流:12.2A

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0LFB-7 起订44个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0LFB-7 起订44个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0LFB-7

    功率:470mW

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:100mA

    漏源电压:60V

    栅极电荷:0.45nC@4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:32pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08E6QTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08E6QTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08E6QTA

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    输入电容:459pF@40V

    连续漏极电流:2.8A

    阈值电压:1V@250µA

    功率:1.1W

    导通电阻:80mΩ@4.8A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFDQ-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFDQ-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2400UFDQ-7

    导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V

    功率:400mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:900mA

    漏源电压:20V

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    输入电容:37pF@16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D9U-7 起订45个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D9U-7 起订45个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D9U-7

    输入电容:28.5pF@30V

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:0.4nC@4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    导通电阻:2Ω@50mA,5V

    功率:370mW

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:380mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UK-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UK-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UK-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    栅极电荷:2.8nC@10V

    类型:N-Channel

    功率:660mW

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A25GTA 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A25GTA 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A25GTA

    输入电容:1063pF@30V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    栅极电荷:20.4nC@10V

    导通电阻:50mΩ@3.6A,10V

    阈值电压:1V@250µA

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1008UFDF-13

    导通电阻:8mΩ@5A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:23.4nC@8V

    类型:N沟道

    输入电容:995pF@6V

    漏源电压:12V

    连续漏极电流:12.2A

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0LFD-7 起订250个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0LFD-7 起订250个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0LFD-7

    输入电容:31pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    阈值电压:1V@250µA

    功率:480mW

    连续漏极电流:310mA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A01FTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A01FTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A01FTA

    栅极电荷:3.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:1.8A

    导通电阻:120mΩ@2.5A,10V

    阈值电压:1V@250µA

    功率:625mW

    输入电容:190pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2B14FHTA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:872pF@10V

    类型:N沟道

    栅极电荷:11nC@4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    功率:1W

    连续漏极电流:3.5A

    导通电阻:55mΩ@3.5A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN21D2UFB-7B 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN21D2UFB-7B 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN21D2UFB-7B

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:380mW

    输入电容:27.6pF@16V

    连续漏极电流:760mA

    栅极电荷:0.93nC@10V

    阈值电压:1V@250µA

    导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2600UFB-7 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2600UFB-7 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2600UFB-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:25V

    功率:540mW

    阈值电压:1V@250µA

    导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V

    栅极电荷:0.85nC@4.5V

    连续漏极电流:1.3A

    ECCN:EAR99

    输入电容:70.13pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D9UWQ-7 起订600个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D9UWQ-7 起订600个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D9UWQ-7

    输入电容:28.5pF@30V

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:0.4nC@4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:400mA

    导通电阻:2Ω@50mA,5V

    阈值电压:1V@250µA

    功率:440mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFD-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFD-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D1LFD-7

    输入电容:36pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    栅极电荷:0.55nC@4.5V

    连续漏极电流:400mA

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN26D0UT-7 起订23个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN26D0UT-7 起订23个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN26D0UT-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@100mA,4.5V

    功率:300mW

    连续漏极电流:230mA

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:14.1pF@15V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11ZTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11ZTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A11ZTA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.7A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    栅极电荷:5.7nC@10V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    导通电阻:120mΩ@2.5A,10V

    输入电容:330pF@40V

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1008UFDF-13

    导通电阻:8mΩ@5A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:23.4nC@8V

    类型:N沟道

    输入电容:995pF@6V

    漏源电压:12V

    连续漏极电流:12.2A

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UTS-13 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UTS-13 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2011UTS-13

    输入电容:2248pF@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:21A

    导通电阻:11mΩ@7A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:1.3W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2501UFB4-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2501UFB4-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2501UFB4-7

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:82pF@16V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:2nC@10V

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    连续漏极电流:1A

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2004WKQ-7 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2004WKQ-7 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2004WKQ-7

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    类型:N沟道

    功率:200mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D9U-13 起订57个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D9U-13 起订57个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D9U-13

    输入电容:28.5pF@30V

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:0.4nC@4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    导通电阻:2Ω@50mA,5V

    功率:370mW

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:380mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFB-7B 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFB-7B 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D1LFB-7B

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    栅极电荷:0.9nC@4.5V

    功率:500mW

    连续漏极电流:320mA

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    输入电容:64pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UKQ-13 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UKQ-13 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UKQ-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    栅极电荷:2.8nC@10V

    类型:N沟道

    功率:660mW

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UKQ-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UKQ-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UKQ-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    栅极电荷:2.8nC@10V

    类型:N沟道

    功率:660mW

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN4A06GTA 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN4A06GTA 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN4A06GTA

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:18.2nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    输入电容:770pF@40V

    导通电阻:50mΩ@4.5A,10V

    阈值电压:1V@250µA

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5UFZ-7B 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5UFZ-7B 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5UFZ-7B

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:220mA

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:22.2pF@15V

    类型:N沟道

    功率:393mW

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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