品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2056U-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:339pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0LFB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@25V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2011UTS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2248pF@10V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1008UFDF-13
导通电阻:8mΩ@5A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:23.4nC@8V
类型:N沟道
输入电容:995pF@6V
漏源电压:12V
连续漏极电流:12.2A
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0LFB-7
功率:470mW
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:2Ω@100mA,4V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:100mA
漏源电压:60V
栅极电荷:0.45nC@4.5V
阈值电压:1V@250µA
输入电容:32pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A08E6QTA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:459pF@40V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:1V@250µA
功率:1.1W
导通电阻:80mΩ@4.8A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2400UFDQ-7
导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:900mA
漏源电压:20V
栅极电荷:0.5nC@4.5V
输入电容:37pF@16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN61D9U-7
输入电容:28.5pF@30V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:0.4nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:2Ω@50mA,5V
功率:370mW
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:380mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UK-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
栅极电荷:2.8nC@10V
类型:N-Channel
功率:660mW
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A25GTA
输入电容:1063pF@30V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:20.4nC@10V
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1008UFDF-13
导通电阻:8mΩ@5A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:23.4nC@8V
类型:N沟道
输入电容:995pF@6V
漏源电压:12V
连续漏极电流:12.2A
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0LFD-7
输入电容:31pF@25V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:2Ω@100mA,4V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:1V@250µA
功率:480mW
连续漏极电流:310mA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A01FTA
栅极电荷:3.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:1.8A
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:625mW
输入电容:190pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B14FHTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:872pF@10V
类型:N沟道
栅极电荷:11nC@4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
功率:1W
连续漏极电流:3.5A
导通电阻:55mΩ@3.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN21D2UFB-7B
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:380mW
输入电容:27.6pF@16V
连续漏极电流:760mA
栅极电荷:0.93nC@10V
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2600UFB-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
功率:540mW
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
栅极电荷:0.85nC@4.5V
连续漏极电流:1.3A
ECCN:EAR99
输入电容:70.13pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN61D9UWQ-7
输入电容:28.5pF@30V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:0.4nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:400mA
导通电阻:2Ω@50mA,5V
阈值电压:1V@250µA
功率:440mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D1LFD-7
输入电容:36pF@25V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:2Ω@100mA,4V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:0.55nC@4.5V
连续漏极电流:400mA
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN26D0UT-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
功率:300mW
连续漏极电流:230mA
阈值电压:1V@250µA
输入电容:14.1pF@15V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A11ZTA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
栅极电荷:5.7nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
输入电容:330pF@40V
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1008UFDF-13
导通电阻:8mΩ@5A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:23.4nC@8V
类型:N沟道
输入电容:995pF@6V
漏源电压:12V
连续漏极电流:12.2A
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2011UTS-13
输入电容:2248pF@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:21A
导通电阻:11mΩ@7A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:1.3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2501UFB4-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:82pF@16V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:2nC@10V
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
连续漏极电流:1A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2004WKQ-7
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
类型:N沟道
功率:200mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN61D9U-13
输入电容:28.5pF@30V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:0.4nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:2Ω@50mA,5V
功率:370mW
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:380mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D1LFB-7B
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:2Ω@100mA,4V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:0.9nC@4.5V
功率:500mW
连续漏极电流:320mA
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:64pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UKQ-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
栅极电荷:2.8nC@10V
类型:N沟道
功率:660mW
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UKQ-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
栅极电荷:2.8nC@10V
类型:N沟道
功率:660mW
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN4A06GTA
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:18.2nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
输入电容:770pF@40V
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5UFZ-7B
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:22.2pF@15V
类型:N沟道
功率:393mW
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
阈值电压:1V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存: