采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
连续漏极电流：1.9A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：700mV@250µA
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
输入电容：303pF@15V
功率：625mW
漏源电压：20V
栅极电荷：3nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A03E6TA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：837pF@10V
类型：N-Channel
阈值电压：700mV@250µA
连续漏极电流：4.6A
栅极电荷：8.2nC@4.5V
功率：1.1W
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
导通电阻：55mΩ@7.2A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
连续漏极电流：1.9A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：700mV@250µA
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
输入电容：303pF@15V
功率：625mW
漏源电压：20V
栅极电荷：3nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61N02FTC
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：3.4nC@4.5V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：180mΩ@930mA，4.5V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
阈值电压：700mV@250µA
功率：625mW
漏源电压：20V
输入电容：160pF@15V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1054UCB4-7
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.7A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：42mΩ@1A，4.5V
类型：N沟道
阈值电压：700mV@250µA
功率：740mW
栅极电荷：15nC@4.5V
漏源电压：8V
ECCN：EAR99
输入电容：908pF@6V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A14FTA
导通电阻：60mΩ@3.4A，4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：544pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：6.6nC@4.5V
类型：N-Channel
阈值电压：700mV@250µA
连续漏极电流：4.1A
漏源电压：20V
功率：1W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
连续漏极电流：1.9A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：700mV@250µA
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
输入电容：303pF@15V
功率：625mW
漏源电压：20V
栅极电荷：3nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01E6TA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：700mV@250µA
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
输入电容：303pF@15V
功率：1.1W
漏源电压：20V
连续漏极电流：2.5A
栅极电荷：3nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：500psc
规格型号(MPN)：ZXMN3B04N8TA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：2480pF@15V
栅极电荷：23.1nC@4.5V
类型：N沟道
连续漏极电流：7.2A
阈值电压：700mV@250µA
导通电阻：25mΩ@7.2A，4.5V
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1054UCB4-7
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.7A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：42mΩ@1A，4.5V
类型：N沟道
阈值电压：700mV@250µA
功率：740mW
栅极电荷：15nC@4.5V
漏源电压：8V
输入电容：908pF@6V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3B01FTA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1.7A，4.5V
阈值电压：700mV@250µA
输入电容：258pF@15V
功率：625mW
栅极电荷：2.93nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
连续漏极电流：1.9A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：700mV@250µA
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
输入电容：303pF@15V
功率：625mW
漏源电压：20V
栅极电荷：3nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61N02FTC
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：3.4nC@4.5V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：180mΩ@930mA，4.5V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
阈值电压：700mV@250µA
功率：625mW
漏源电压：20V
输入电容：160pF@15V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61N02FTC
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：3.4nC@4.5V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：180mΩ@930mA，4.5V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
阈值电压：700mV@250µA
功率：625mW
漏源电压：20V
输入电容：160pF@15V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A14FTA
连续漏极电流：3.4A
导通电阻：60mΩ@3.4A，4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：544pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：6.6nC@4.5V
类型：N沟道
阈值电压：700mV@250µA
漏源电压：20V
功率：1W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：837pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：N-Channel
导通电阻：55mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3B04N8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：23.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2480pF@15V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3B01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：2.93nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：258pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61N02FTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@930mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3B04N8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：23.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2480pF@15V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1054UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：908pF@6V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A14FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：6.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：544pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：N-Channel
导通电阻：60mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61N02FTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@930mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A14FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：544pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：N-Channel
导通电阻：60mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61N02FTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@930mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3B14FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：568pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N-Channel
导通电阻：80mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：837pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：N-Channel
导通电阻：55mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
