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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01E6TA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：700mV@250µA
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
输入电容：303pF@15V
功率：1.1W
漏源电压：20V
连续漏极电流：2.5A
栅极电荷：3nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110S-7
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：305.8pF@15V
类型：N沟道
功率：740mW
连续漏极电流：2.5A
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110S-7
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：305.8pF@15V
类型：N沟道
功率：740mW
连续漏极电流：2.5A
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110S-7
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：305.8pF@15V
类型：N沟道
功率：740mW
连续漏极电流：2.5A
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN95H8D5HCTI
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：7Ω@1A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
