采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：270mW（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：0.622 nC @ 4.5 V
输入电容：59.76 pF @ 16 V
连续漏极电流：460mA（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：700 毫欧 @ 350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：2.3V @ 250µA
栅极电荷：1.3 nC @ 10 V
输入电容：51 pF @ 15 V
连续漏极电流：400mA（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：2.4 欧姆 @ 200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3017SFG-13
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：940mW（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：41 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2246 pF @ 15 V
连续漏极电流：11.5A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：10 毫欧 @ 11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：2.3V @ 250µA
栅极电荷：1.3 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51 pF @ 15 V
连续漏极电流：400mA（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：2.4 欧姆 @ 200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：2.3V @ 250µA
栅极电荷：1.3 nC @ 10 V
输入电容：51 pF @ 15 V
连续漏极电流：400mA（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：2.4 欧姆 @ 200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：800mW（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：8.9 nC @ 10 V
输入电容：612 pF @ 20 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：155 毫欧 @ 2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：2.3V @ 250µA
栅极电荷：1.3 nC @ 10 V
输入电容：51 pF @ 15 V
连续漏极电流：400mA（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：2.4 欧姆 @ 200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17E6QTA
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.1W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：10.7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424 pF @ 50 V
连续漏极电流：1.3A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：350 毫欧 @ 1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：2.3V @ 250µA
栅极电荷：1.3 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51 pF @ 15 V
连续漏极电流：400mA（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：2.4 欧姆 @ 200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：2.3V @ 250µA
栅极电荷：1.3 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51 pF @ 15 V
连续漏极电流：400mA（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：2.4 欧姆 @ 200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：2.3V @ 250µA
栅极电荷：1.3 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51 pF @ 15 V
连续漏极电流：400mA（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：2.4 欧姆 @ 200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013T-7
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：270mW（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.622 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76 pF @ 16 V
连续漏极电流：460mA（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：700 毫欧 @ 350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
