品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3020LDT-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:670mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:393pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:20mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150mW
阈值电压:2.5V@250μA
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:2个N沟道
导通电阻:7.5Ω@5V,50mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H032LDV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:11.9nC@10V
输入电容:683pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:2个N沟道
导通电阻:36mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250μA
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:305mA
类型:2个N沟道
导通电阻:2Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6015LPDW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W€7.9W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15.7nC@10V
输入电容:808pF@30V
连续漏极电流:9.4A€17.1A
类型:2个N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:150mW
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:280mA
导通电阻:7.5Ω@5V,50mA
漏源电压:60V
输入电容:50pF@25V
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3020LDT-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:670mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:393pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:20mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:7.6A
类型:2个N沟道
导通电阻:19.5mΩ@10V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:7nC@10V
输入电容:393pF@15V
连续漏极电流:32A
类型:2个N沟道
导通电阻:20mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: