采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDBWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDBWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3032LFDBWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3032LFDBWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D4LDW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：330mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：1.04nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@30V
连续漏极电流：261mA
类型：2个N沟道
导通电阻：3Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDBWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D4LDW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：330mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：1.04nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@30V
连续漏极电流：261mA
类型：2个N沟道
导通电阻：3Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDBWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDBQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D4LDW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：330mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：1.04nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@30V
连续漏极电流：261mA
类型：2个N沟道
导通电阻：3Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDBWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDBQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDBQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDBQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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