品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3020LDT-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:670mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:393pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:20mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3401LDW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:1.2nC@10V
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:800mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:8.56nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3032LFDBWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:820mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3032LFDBWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:820mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3032LFDBWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:820mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:8.56nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3401LDW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:1.2nC@10V
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:800mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.04W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:8nC@10V
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:2.3A
类型:2个N沟道
导通电阻:135mΩ@1.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.04W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:8nC@10V
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:2.3A
类型:2个N沟道
导通电阻:135mΩ@1.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5UDJ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:380pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22.6pF@15V
连续漏极电流:220mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.56nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5UDJ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:380pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22.6pF@15V
连续漏极电流:220mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5UDJ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:380pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22.6pF@15V
连续漏极电流:220mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3032LFDBWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:820mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:8.56nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5UDJ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:380pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22.6pF@15V
连续漏极电流:220mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN33D8LV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:430mW
阈值电压:1.5V@100μA
栅极电荷:1.23nC@10V
输入电容:48pF@5V
连续漏极电流:350mA
类型:2个N沟道
导通电阻:2.4Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:8.56nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN33D8LV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:430mW
阈值电压:1.5V@100μA
栅极电荷:1.23nC@10V
输入电容:48pF@5V
连续漏极电流:350mA
类型:2个N沟道
导通电阻:2.4Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.56nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ESN4832
功率:20W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:15nC
输入电容:750pF
连续漏极电流:35A
类型:2个N沟道
反向传输电容:70pF
导通电阻:11mΩ@10V,8.0A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ESN4838
功率:21W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:18nC
输入电容:1.08nF
连续漏极电流:33A
类型:2个N沟道
反向传输电容:110pF
导通电阻:7.5mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN33D9LV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:430mW
阈值电压:1.4V@100μA
栅极电荷:1.23nC@10V
输入电容:48pF@5V
连续漏极电流:350mA
类型:2个N沟道
导通电阻:2.4Ω
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5UDJ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:380pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22.6pF@15V
连续漏极电流:220mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN33D8LV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:430mW
阈值电压:1.5V@100μA
栅极电荷:1.23nC@10V
输入电容:48pF@5V
连续漏极电流:350mA
类型:2个N沟道
导通电阻:2.4Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5UDJ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:380pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22.6pF@15V
连续漏极电流:220mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN33D8LV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:430mW
阈值电压:1.5V@100μA
栅极电荷:1.23nC@10V
输入电容:48pF@5V
连续漏极电流:350mA
类型:2个N沟道
导通电阻:2.4Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3032LFDBWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:820mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: