品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:500mW(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:0.9 nC @ 4.5 V
输入电容:64 pF @ 25 V
连续漏极电流:320mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:2 欧姆 @ 100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT2004UFDF-7
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:800mW(Ta),12.5W(Tc)
阈值电压:1.45V @ 250µA
栅极电荷:53.7 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1683 pF @ 15 V
连续漏极电流:14.1A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:6 毫欧 @ 9A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT2004UFDF-7
功率:800mW(Ta),12.5W(Tc)
栅极电荷:53.7 nC @ 10 V
导通电阻:6 毫欧 @ 9A,10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14.1A(Ta)
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
类型:N 通道
漏源电压:24V
输入电容:1683 pF @ 15 V
阈值电压:1.45V @ 250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:700mW(Ta)
阈值电压:2.4V @ 1mA
输入电容:75 pF @ 18 V
连续漏极电流:450mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:2 欧姆 @ 1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:600mW(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:12.3 nC @ 10 V
输入电容:606 pF @ 20 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:85 毫欧 @ 1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:600mW(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:12.3 nC @ 10 V
输入电容:606 pF @ 20 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:85 毫欧 @ 1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:200mW(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
输入电容:25 pF @ 10 V
连续漏极电流:160mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:4 欧姆 @ 100mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:930mW(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:37 nC @ 10 V
输入电容:1810 pF @ 20 V
连续漏极电流:11.5A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:12 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:200mW(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
输入电容:25 pF @ 10 V
连续漏极电流:160mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:4 欧姆 @ 100mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.18W(Ta)
阈值电压:2V @ 250µA
栅极电荷:25.1 nC @ 10 V
输入电容:1415 pF @ 15 V
连续漏极电流:10.8A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:12 毫欧 @ 20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.2W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:16 nC @ 10 V
输入电容:825 pF @ 30 V
连续漏极电流:4.3A(Ta),10A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:69 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:600mW(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:12.3 nC @ 10 V
输入电容:606 pF @ 20 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:85 毫欧 @ 1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:600mW(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:12.3 nC @ 10 V
输入电容:606 pF @ 20 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:85 毫欧 @ 1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:930mW(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:37 nC @ 10 V
输入电容:1810 pF @ 20 V
连续漏极电流:11.5A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:12 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:600mW(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:12.3 nC @ 10 V
输入电容:606 pF @ 20 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:85 毫欧 @ 1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:500mW(Ta)
阈值电压:1.2V @ 250µA
栅极电荷:7.7 nC @ 10 V
输入电容:281 pF @ 10 V
连续漏极电流:3.5A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:42 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.18W(Ta)
阈值电压:2V @ 250µA
栅极电荷:25.1 nC @ 10 V
输入电容:1415 pF @ 15 V
连续漏极电流:10.8A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:12 毫欧 @ 20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:600mW(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:12.3 nC @ 10 V
输入电容:606 pF @ 20 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:85 毫欧 @ 1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:600mW(Ta),920mW(Tc)
阈值电压:1.5V @ 250µA
栅极电荷:0.8 nC @ 10 V
输入电容:40 pF @ 10 V
连续漏极电流:500mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:1.8 欧姆 @ 220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:200mW(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
输入电容:25 pF @ 10 V
连续漏极电流:160mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:4 欧姆 @ 100mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:930mW(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:37 nC @ 10 V
输入电容:1810 pF @ 20 V
连续漏极电流:11.5A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:12 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:610mW(Ta)
阈值电压:1.5V @ 250µA
栅极电荷:11.6 nC @ 4.5 V
输入电容:1149 pF @ 10 V
连续漏极电流:6.9A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:20 毫欧 @ 9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.18W(Ta)
阈值电压:2V @ 250µA
栅极电荷:25.1 nC @ 10 V
输入电容:1415 pF @ 15 V
连续漏极电流:10.8A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:12 毫欧 @ 20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:930mW(Ta)
栅极电荷:37 nC @ 10 V
漏源电压:40V
连续漏极电流:11.5A(Ta)
导通电阻:12 毫欧 @ 14A,10V
输入电容:1810 pF @ 20 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
阈值电压:3V @ 250µA
类型:N 通道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT61M5SPSW-13
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8306 pF @ 30 V
功率:2.7W(Ta),139W(Tc)
栅极电荷:130.6 nC @ 10 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
漏源电压:60V
类型:N 通道
导通电阻:1.5 毫欧 @ 30A,10V
连续漏极电流:215A(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:1V @ 250µA
导通电阻:4 欧姆 @ 100mA,4V
漏源电压:50V
连续漏极电流:160mA(Ta)
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
类型:N 通道
功率:200mW(Ta)
输入电容:25 pF @ 10 V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT61M5SPSW-13
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8306 pF @ 30 V
功率:2.7W(Ta),139W(Tc)
栅极电荷:130.6 nC @ 10 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
漏源电压:60V
类型:N 通道
导通电阻:1.5 毫欧 @ 30A,10V
连续漏极电流:215A(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138TA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:50V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
阈值电压:1.5V @ 250µA
类型:N 通道
输入电容:50 pF @ 10 V
导通电阻:3.5 欧姆 @ 220mA,10V
功率:300mW(Ta)
ECCN:EAR99
连续漏极电流:200mA(Ta)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
导通电阻:85 毫欧 @ 1.5A,10V
栅极电荷:12.3 nC @ 10 V
输入电容:606 pF @ 20 V
连续漏极电流:3A(Ta)
功率:600mW(Ta)
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
漏源电压:60V
阈值电压:3V @ 250µA
类型:N 通道
包装清单:商品主体 * 1
库存: