品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD403
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:51nC
输入电容:2.89nF
连续漏极电流:15A
类型:1个P沟道
反向传输电容:470pF
导通电阻:8mΩ@10V,10A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD403
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:51nC
输入电容:2.89nF
连续漏极电流:15A
类型:1个P沟道
反向传输电容:470pF
导通电阻:8mΩ@10V,10A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD403
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:51nC
输入电容:2.89nF
连续漏极电流:15A
类型:1个P沟道
反向传输电容:470pF
导通电阻:8mΩ@10V,10A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:30.7nC@10V
输入电容:1.802nF@15V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@10V,8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:6.8nC@4.5V
输入电容:722pF@25V
连续漏极电流:7.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@10V,6A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:60.4nC@10V
输入电容:2.748nF@20V
连续漏极电流:13A
类型:1个P沟道
导通电阻:11mΩ@10V,13A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:30.7nC@10V
输入电容:1.802nF@15V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@10V,8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:30.7nC@10V
输入电容:1.802nF@15V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@10V,8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:6.8nC@4.5V
输入电容:722pF@25V
连续漏极电流:7.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@10V,6A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:60.4nC@10V
输入电容:2.748nF@20V
连续漏极电流:13A
类型:1个P沟道
导通电阻:11mΩ@10V,13A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:60.4nC@10V
输入电容:2.748nF@20V
连续漏极电流:13A
类型:1个P沟道
导通电阻:11mΩ@10V,13A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
输入电容:722pF@25V
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:6.8nC@4.5V
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@10V,6A
连续漏极电流:7.1A
包装清单:商品主体 * 1
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