品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3020UFDB-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:860mW
阈值电压:1.7V@250μA
栅极电荷:8.8nC@10V
输入电容:383pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:21mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2053UFDBQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:820mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:12.7nC@8V€7.7nC@10V
输入电容:369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流:3.1A€4.6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V€75mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2053UFDBQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:820mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:12.7nC@8V€7.7nC@10V
输入电容:369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流:3.1A€4.6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V€75mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC67D8UFDBQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:580mW
阈值电压:1.25V@250μA€2.5V@250μA
栅极电荷:0.4pC@4.5V€7.3nC@4.5V
输入电容:443pF@16V€41pF@25V
连续漏极电流:390mA€2.9A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V€72mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:60V€20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2053UFDBQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:820mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:12.7nC@8V€7.7nC@10V
输入电容:369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流:3.1A€4.6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V€75mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC1030UFDBQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.36W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1003pF@6V
连续漏极电流:5.1A
类型:N和P沟道互补型
导通电阻:34mΩ@4.6A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:450mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:300pC@4.5V
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:500mA€360mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:1.7Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:9.8nC@10V
输入电容:501pF@15V
连续漏极电流:6.5A€4.2A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:20mΩ@7.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:9.8nC@10V
输入电容:501pF@15V
连续漏极电流:6.5A€4.2A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:20mΩ@7.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC67D8UFDBQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:580mW
阈值电压:1.25V@250μA€2.5V@250μA
栅极电荷:0.4pC@4.5V€7.3nC@4.5V
输入电容:443pF@16V€41pF@25V
连续漏极电流:390mA€2.9A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V€72mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:60V€20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2053UFDBQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:820mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:12.7nC@8V€7.7nC@10V
输入电容:369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流:3.1A€4.6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V€75mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4614-ES
功率:2W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:8.5nC
输入电容:410pF
连续漏极电流:6.8A
类型:1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容:35pF
导通电阻:20mΩ@10V,6.0A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4614-ES
功率:2W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:8.5nC
输入电容:410pF
连续漏极电流:6.8A
类型:1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容:35pF
导通电阻:20mΩ@10V,6.0A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC67D8UFDBQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:580mW
阈值电压:1.25V@250μA€2.5V@250μA
栅极电荷:0.4pC@4.5V€7.3nC@4.5V
输入电容:443pF@16V€41pF@25V
连续漏极电流:390mA€2.9A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V€72mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:60V€20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2710UV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:460mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V€700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V€42pF@16V
连续漏极电流:1.1A€800mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V€700mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2710UV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:460mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V€700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V€42pF@16V
连续漏极电流:1.1A€800mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V€700mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:850mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:12.3nC@10V
输入电容:422pF@15V
连续漏极电流:3.8A€2.5A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:55mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:840mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:3.4A€2.8A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC67D8UFDBQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:580mW
阈值电压:1.25V@250μA€2.5V@250μA
栅极电荷:0.4pC@4.5V€7.3nC@4.5V
输入电容:443pF@16V€41pF@25V
连续漏极电流:390mA€2.9A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V€72mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:60V€20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:840mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:3.4A€2.8A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2710UV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:460mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V€700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V€42pF@16V
连续漏极电流:1.1A€800mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V€700mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:9.8nC@10V
输入电容:501pF@15V
连续漏极电流:6.5A€4.2A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:20mΩ@7.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2053UFDBQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:820mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:12.7nC@8V€7.7nC@10V
输入电容:369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流:3.1A€4.6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V€75mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC67D8UFDBQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:580mW
阈值电压:1.25V@250μA€2.5V@250μA
栅极电荷:0.4pC@4.5V€7.3nC@4.5V
输入电容:443pF@16V€41pF@25V
连续漏极电流:390mA€2.9A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V€72mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:60V€20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2053UFDBQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:820mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:12.7nC@8V€7.7nC@10V
输入电容:369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流:3.1A€4.6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V€75mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:450mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:300pC@4.5V
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:500mA€360mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:1.7Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC67D8UFDBQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:580mW
阈值电压:1.25V@250μA€2.5V@250μA
栅极电荷:0.4pC@4.5V€7.3nC@4.5V
输入电容:443pF@16V€41pF@25V
连续漏极电流:390mA€2.9A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V€72mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:60V€20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:450mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:300pC@4.5V
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:500mA€360mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:1.7Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:450mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:300pC@4.5V
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:500mA€360mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:1.7Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:450mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:300pC@4.5V
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:500mA€360mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:1.7Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: