品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6898LSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.28W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1149pF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2029USD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1171pF@10V
连续漏极电流:5.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138DW-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138DW-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3055LFDB-7
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:458pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6301UDW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.9pF@10V
连续漏极电流:240mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0LDWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:49.5pF@25V
连续漏极电流:460mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3055LFDB-7
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:458pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8LDWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8LV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8LDWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2029USD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1171pF@10V
连续漏极电流:5.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8LV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138DW-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6301UDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.9pF@10V
连续漏极电流:240mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8LV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2029USD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1171pF@10V
连续漏极电流:5.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8LV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138DWQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存: