采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2040LTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@10V
连续漏极电流：6.7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：26mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG8601UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：920mW
阈值电压：1.05V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG9926UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：980mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：856pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：28mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG5802LFX-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：980mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1066.4pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：15mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1002UCA6-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：24mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1033UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.45W
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG8822UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：841pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2019UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：18.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2023UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3333pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：24mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：15.5mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG8601UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：920mW
阈值电压：1.05V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：24mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：24mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFDH-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20mΩ@4A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG9926UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：980mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：856pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：28mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2019UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：18.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：24mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2019UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：18.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG5802LFX-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：980mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1066.4pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：15mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2019UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：18.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2019UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：18.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：887pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20.2mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：24mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2008LFU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@250A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1418pF@10V
连续漏极电流：14.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5.4mΩ@5.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：24mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2019UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：18.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：887pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20.2mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
