品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHT6016LFJ-13
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:14.8A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:22mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHT6016LFJ-13
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:14.8A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:22mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHT3006LFJ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1171pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:10mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHT3006LFJ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1171pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:10mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHT6016LFJ-13
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:14.8A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:22mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHT6016LFJ-13
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:14.8A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:22mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHT6016LFJ-13
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:14.8A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:22mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHT6016LFJ-13
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:14.8A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:22mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHT6016LFJ-13
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:14.8A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:22mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHT6016LFJ-13
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:14.8A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:22mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHT6016LFJ-13
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:14.8A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:22mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHT3006LFJ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1171pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:10mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHT3006LFJ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1171pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:10mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHT6016LFJ-13
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:14.8A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:22mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHT6016LFJ-13
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:14.8A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:22mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHT6016LFJ-13
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
导通电阻:22mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:4N沟道(全桥)
ECCN:EAR99
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:14.8A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHT6016LFJ-13
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:14.8A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:22mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHT6016LFJ-13
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:14.8A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:22mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHT6016LFJ-13
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:14.8A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:22mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHT3006LFJ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1171pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:10mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHT6016LFJ-13
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:14.8A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:22mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHT3006LFJ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1171pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:10mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHT3006LFJ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1171pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:10mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHT3006LFJ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1171pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:10mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: