品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:0.87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:0.87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:0.87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:0.87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:0.87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:0.87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:0.87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138L
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:650pC
输入电容:25pF
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:2.2pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138P
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:650pC
输入电容:25pF
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:2.2pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138AKDW
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:650pC
输入电容:25pF
连续漏极电流:300mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:2.2pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138PW
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:650pC
输入电容:25pF
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:2.2pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138LT1G-ES
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:650pC
输入电容:25pF
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:2.2pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ES138KR
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:650pC
输入电容:25pF
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:2.2pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138PW
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:650pC
输入电容:25pF
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:2.2pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138AKDW
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:650pC
输入电容:25pF
连续漏极电流:300mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:2.2pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA138K-ES
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:650pC
输入电容:25pF
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:2.2pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:650pC
输入电容:25pF
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:2.2pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138P
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:650pC
输入电容:25pF
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:2.2pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:0.87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:0.87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:0.87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138NH6327-ES
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:650pC
输入电容:25pF
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:2.2pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138L
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:650pC
输入电容:25pF
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:2.2pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存: