品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2160UW-7
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:627pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC31D5UDJ-7B
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:220mA€200mA
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:22.6pF@15V
类型:N和P沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2990UDJ-7
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:450mA
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
输入电容:27.6pF@16V
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC31D5UDJ-7
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:220mA€200mA
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:22.6pF@15V
类型:N和P沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP210DUFB4-7
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:175pF@15V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2990UDJQ-7
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
类型:N和P沟道互补型
连续漏极电流:450mA€310mA
漏源电压:20V
输入电容:27.6pF@15V€28.7pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-7
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
输入电容:50pF@15V
栅极电荷:1.2nC@10V
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2160UWQ-7
功率:350mW
连续漏极电流:1.5A
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1.5A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
漏源电压:20V
输入电容:627pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP1320FTA
连续漏极电流:35mA
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:3.5V@1mA
输入电容:50pF@25V
导通电阻:80Ω@50mA,10V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-7
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
输入电容:50pF@15V
栅极电荷:1.2nC@10V
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
阈值电压:1.6V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2990UDJ-7
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:450mA€310mA
输入电容:27.6pF@15V
类型:N和P沟道
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4106FTA
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
导通电阻:2.5Ω@500mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:35pF@25V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP210DUFB4-7
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
输入电容:175pF@15V
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3150LW-7
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@5V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.6A
导通电阻:88mΩ@1.6A,4.5V
类型:N沟道
阈值电压:1.4V@250µA
漏源电压:28V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8L-7
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
栅极电荷:0.9nC@10V
输入电容:23.2pF@25V
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:350mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4106FTA
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:2.5Ω@500mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:35pF@25V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:60V
连续漏极电流:200mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP1320FTA
连续漏极电流:35mA
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:3.5V@1mA
输入电容:50pF@25V
导通电阻:80Ω@50mA,10V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8L-7
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
栅极电荷:0.9nC@10V
输入电容:23.2pF@25V
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:350mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN33D8LDWQ-7
输入电容:48pF@5V
功率:350mW
导通电阻:2.4Ω@250mA,10V
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC31D5UDJ-7B
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:220mA€200mA
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:22.6pF@15V
类型:N和P沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4106FTA
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
导通电阻:2.5Ω@500mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:35pF@25V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2160UW-7
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:627pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2990UDJQ-7
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
类型:N和P沟道互补型
连续漏极电流:450mA€310mA
漏源电压:20V
输入电容:27.6pF@15V€28.7pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D2LFB4-7
阈值电压:1.2V@250µA
功率:350mW
连续漏极电流:300mA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:39pF@3V
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2990UDJ-7
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:450mA
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
输入电容:27.6pF@16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2990UDJQ-7
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
类型:N和P沟道互补型
连续漏极电流:450mA€310mA
漏源电压:20V
输入电容:27.6pF@15V€28.7pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4106FTA
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:2.5Ω@500mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:35pF@25V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:60V
连续漏极电流:200mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2160UWQ-7
功率:350mW
连续漏极电流:1.5A
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1.5A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
漏源电压:20V
输入电容:627pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8L-7
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
栅极电荷:0.9nC@10V
输入电容:23.2pF@25V
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:350mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-7
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
输入电容:50pF@15V
栅极电荷:1.2nC@10V
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
阈值电压:1.6V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存: