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    品牌: DIODES
    功率: 350mW
    类型: 1个N沟道
    当前匹配商品:100+
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    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订58个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订58个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5L-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5L-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5L-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5L-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5L-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D0LFB4-7B 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D0LFB4-7B 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN32D0LFB4-7B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:44.8pF@15V

    连续漏极电流:440mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2Ω@100mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5L-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 SI3134KE-TP-ES 起订227个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 SI3134KE-TP-ES 起订227个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3134KE-TP-ES

    功率:350mW

    阈值电压:750mV@250μA

    栅极电荷:1nC

    输入电容:56pF

    连续漏极电流:880mA

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:2.5pF

    导通电阻:220mΩ@4.5V,500mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 NCE2302-ES 起订271个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 NCE2302-ES 起订271个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NCE2302-ES

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.1nC

    输入电容:311pF

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:88pF

    导通电阻:36mΩ@10V,3.5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 DN2300-ES 起订219个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 DN2300-ES 起订219个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DN2300-ES

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.1nC

    输入电容:311pF

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:88pF

    导通电阻:22mΩ@10V,6.0A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 CJ3420-ES 起订191个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 CJ3420-ES 起订191个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CJ3420-ES

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.1nC

    输入电容:311pF

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:88pF

    导通电阻:22mΩ@10V,6.0A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D0LFB4-7B 起订31个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D0LFB4-7B 起订31个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN32D0LFB4-7B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:44.8pF@15V

    连续漏极电流:440mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2Ω@100mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5L-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5L-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D0LFB4-7B 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D0LFB4-7B 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN32D0LFB4-7B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:44.8pF@15V

    连续漏极电流:440mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2Ω@100mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5L-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D0LFB4-7B 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D0LFB4-7B 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN32D0LFB4-7B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:44.8pF@15V

    连续漏极电流:440mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2Ω@100mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5L-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5L-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5L-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5L-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D0LFB4-7B 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D0LFB4-7B 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN32D0LFB4-7B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:44.8pF@15V

    连续漏极电流:440mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2Ω@100mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5L-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5L-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 ES3134KW 起订450个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 ES3134KW 起订450个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ES3134KW

    功率:350mW

    阈值电压:750mV@250μA

    栅极电荷:1nC

    输入电容:56pF

    连续漏极电流:880mA

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:2.5pF

    导通电阻:220mΩ@4.5V,0.5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 SI2302 起订207个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 SI2302 起订207个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2302

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.1nC

    输入电容:311pF

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:88pF

    导通电阻:36mΩ@10V,3.5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 AP2302B-ES 起订281个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 AP2302B-ES 起订281个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AP2302B-ES

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.1nC

    输入电容:311pF

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:88pF

    导通电阻:36mΩ@10V,3.5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 DN2300-ES 起订252个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 DN2300-ES 起订252个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DN2300-ES

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.1nC

    输入电容:311pF

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:88pF

    导通电阻:22mΩ@10V,6.0A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 SI2300 起订44个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 SI2300 起订44个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2300

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.1nC

    输入电容:311pF

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:88pF

    导通电阻:22mΩ@10V,6.0A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 AP2300-ES 起订1000个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 AP2300-ES 起订1000个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AP2300-ES

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.1nC

    输入电容:311pF

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:88pF

    导通电阻:22mΩ@10V,6.0A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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