品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6023LFGQ-7
工作温度:-55℃~155℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:53.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2569pF@30V
连续漏极电流:7.7A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B14FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:872pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2047UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:218pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3007SCGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2826pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:6.8mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3032LFDB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:30mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFVQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H015LCG-7
工作温度:-55℃~155℃
功率:1W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@50V
连续漏极电流:9.4A€34A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2100UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3021SSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.799nF@15V
连续漏极电流:39A€10.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:15mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS3014SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:45.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@15V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@10.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS3014SFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@15V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A14FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2047UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:218pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3018SFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2147pF@15V
连续漏极电流:11A€35A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:544pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7408SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478.9pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP2120FFTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:137mA
类型:P沟道
导通电阻:28Ω@150mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3021SSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.799nF@15V
连续漏极电流:39A€10.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:15mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3018SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3032LFDBQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:30mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A14FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H065LFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:252pF@50V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3A,10V
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4013LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3426pF@20V
连续漏极电流:10.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:544pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BST52TA
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):500mA
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.3V@500µA,500mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@150mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3018SFVQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2147pF@15V
连续漏极电流:11A€35A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: