品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP4A16GTA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.007nF@20V
连续漏极电流:6.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@10V,3.8A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP4525GTA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:3.45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:73pF@25V
连续漏极电流:265mA
类型:1个P沟道
导通电阻:14Ω@10V,200mA
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP2106GTA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:450mA
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:5Ω@10V,500mA
类型:1个P沟道
漏源电压:60V
输入电容:100pF@18V
功率:2W
阈值电压:3.5V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP2106GTA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:450mA
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:5Ω@10V,500mA
类型:1个P沟道
漏源电压:60V
输入电容:100pF@18V
功率:2W
阈值电压:3.5V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存: