品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13GTA
输入电容:219pF@30V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.7A
漏源电压:60V
栅极电荷:5.9nC@10V
导通电阻:390mΩ@900mA,10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP7A17GTA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:160mΩ@2.1A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
漏源电压:70V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
输入电容:635pF@40V
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A25GTA
输入电容:1063pF@30V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:20.4nC@10V
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN0545GTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
连续漏极电流:140mA
漏源电压:450V
输入电容:70pF@25V
ECCN:EAR99
功率:2W
导通电阻:50Ω@100mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6068SE-13
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:10.3nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:4.1A
输入电容:502pF@30V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
功率:2W
导通电阻:68mΩ@12A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A17KTC
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:424pF@50V
导通电阻:350mΩ@1.4A,10V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.7nC@10V
漏源电压:100V
功率:2W
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4525GTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:72pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:250V
阈值电压:1.8V@1mA
栅极电荷:3.65nC@10V
连续漏极电流:310mA
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4525GTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:72pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:250V
阈值电压:1.8V@1mA
栅极电荷:3.65nC@10V
连续漏极电流:310mA
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A17GQTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:424pF@50V
导通电阻:350mΩ@1.4A,10V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10.7nC@10V
漏源电压:100V
功率:2W
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVNL120GTA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:320mA
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:85pF@25V
类型:N沟道
阈值电压:1.5V@1mA
导通电阻:10Ω@250mA,5V
功率:2W
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A08GTA
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:7.7nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
输入电容:405pF@50V
阈值电压:2V@250µA
漏源电压:100V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6023LE-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:28mΩ@5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
输入电容:2569pF@30V
栅极电荷:53.1nC@10V
类型:P沟道
连续漏极电流:7A€18.2A
阈值电压:3V@250µA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSDQ-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:20mΩ@6.9A,10V
输入电容:725pF@15V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:6.9A
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3026SFDE-7
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:19mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:10.4A
栅极电荷:19.6nC@10V
类型:P沟道
输入电容:1204pF@15V
阈值电压:3V@250µA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A09GTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:5.4A
输入电容:1407pF@40V
栅极电荷:24.2nC@5V
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:40mΩ@8.2A,10V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206GVTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:60V
连续漏极电流:1A
ECCN:EAR99
输入电容:100pF@25V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN4A06GTA
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:18.2nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
输入电容:770pF@40V
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSD-13
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:20mΩ@6.9A,10V
输入电容:725pF@15V
类型:2N沟道(双)
功率:2W
连续漏极电流:6.9A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP0545GTA
阈值电压:4.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:75mA
类型:P沟道
导通电阻:150Ω@50mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:120pF@25V
功率:2W
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3025LFG-7
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
输入电容:605pF@15V
功率:2W
导通电阻:18mΩ@7.8A,10V
连续漏极电流:7.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206GTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1A
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
输入电容:100pF@25V
漏源电压:60V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009LSS-13
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:58.3nC@10V
输入电容:2555pF@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN4A06GTA
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:18.2nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
输入电容:770pF@40V
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A17KTC
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:424pF@50V
导通电阻:350mΩ@1.4A,10V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10.7nC@10V
漏源电压:100V
功率:2W
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4525GTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:72pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:250V
阈值电压:1.8V@1mA
栅极电荷:3.65nC@10V
连续漏极电流:310mA
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A11GTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
栅极电荷:5.4nC@10V
导通电阻:350mΩ@2.6A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:274pF@50V
漏源电压:100V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP4A16GTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:60mΩ@3.8A,10V
漏源电压:40V
栅极电荷:26.1nC@10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
输入电容:1007pF@20V
连续漏极电流:6.4A
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A17GQTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:424pF@50V
导通电阻:350mΩ@1.4A,10V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10.7nC@10V
漏源电压:100V
功率:2W
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN7A11GTA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:298pF@40V
连续漏极电流:2.7A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:70V
导通电阻:130mΩ@4.4A,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:2W
栅极电荷:7.4nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP4525GTA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:73pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@1mA
漏源电压:250V
栅极电荷:3.45nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
连续漏极电流:265mA
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存: