品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A25GTA
输入电容:1063pF@30V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:20.4nC@10V
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN0545GTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
连续漏极电流:140mA
漏源电压:450V
输入电容:70pF@25V
ECCN:EAR99
功率:2W
导通电阻:50Ω@100mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6068SE-13
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:10.3nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:4.1A
输入电容:502pF@30V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
功率:2W
导通电阻:68mΩ@12A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4525GTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:72pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:250V
阈值电压:1.8V@1mA
栅极电荷:3.65nC@10V
连续漏极电流:310mA
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4525GTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:72pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:250V
阈值电压:1.8V@1mA
栅极电荷:3.65nC@10V
连续漏极电流:310mA
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVNL120GTA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:320mA
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:85pF@25V
类型:N沟道
阈值电压:1.5V@1mA
导通电阻:10Ω@250mA,5V
功率:2W
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A08GTA
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:7.7nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
输入电容:405pF@50V
阈值电压:2V@250µA
漏源电压:100V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A09GTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:5.4A
输入电容:1407pF@40V
栅极电荷:24.2nC@5V
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:40mΩ@8.2A,10V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206GVTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:60V
连续漏极电流:1A
ECCN:EAR99
输入电容:100pF@25V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN4A06GTA
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:18.2nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
输入电容:770pF@40V
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3025LFG-7
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
输入电容:605pF@15V
功率:2W
导通电阻:18mΩ@7.8A,10V
连续漏极电流:7.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206GTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1A
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
输入电容:100pF@25V
漏源电压:60V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009LSS-13
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:58.3nC@10V
输入电容:2555pF@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN4A06GTA
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:18.2nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
输入电容:770pF@40V
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4525GTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:72pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:250V
阈值电压:1.8V@1mA
栅极电荷:3.65nC@10V
连续漏极电流:310mA
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A11GTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
栅极电荷:5.4nC@10V
导通电阻:350mΩ@2.6A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:274pF@50V
漏源电压:100V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN7A11GTA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:298pF@40V
连续漏极电流:2.7A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:70V
导通电阻:130mΩ@4.4A,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:2W
栅极电荷:7.4nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):ZXMN3B04N8TA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2480pF@15V
栅极电荷:23.1nC@4.5V
类型:N沟道
连续漏极电流:7.2A
阈值电压:700mV@250µA
导通电阻:25mΩ@7.2A,4.5V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4210GTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
输入电容:100pF@25V
漏源电压:100V
功率:2W
阈值电压:2.4V@1mA
导通电阻:1.5Ω@1.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A25GTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:2.9A
导通电阻:125mΩ@2.9A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:859pF@50V
漏源电压:100V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3025LFG-7
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
输入电容:605pF@15V
ECCN:EAR99
功率:2W
导通电阻:18mΩ@7.8A,10V
连续漏极电流:7.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4210GTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
输入电容:100pF@25V
漏源电压:100V
功率:2W
阈值电压:2.4V@1mA
导通电阻:1.5Ω@1.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6068SEQ-13
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:10.3nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:4.1A
输入电容:502pF@30V
阈值电压:3V@250µA
功率:2W
导通电阻:68mΩ@12A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A11GTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
栅极电荷:5.4nC@10V
导通电阻:350mΩ@2.6A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:274pF@50V
漏源电压:100V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LDM-7
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:6.9A
阈值电压:2.1V@250µA
导通电阻:33mΩ@6.9A,10V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A08GTA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:459pF@40V
连续漏极电流:3.8A
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:80mΩ@4.8A,10V
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H072LFV-7
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.7A€20A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:228pF@50V
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
功率:2W
栅极电荷:4.5nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVNL120GTA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:320mA
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:85pF@25V
类型:N沟道
阈值电压:1.5V@1mA
导通电阻:10Ω@250mA,5V
功率:2W
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009LFV-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2000pF@15V
类型:N沟道
栅极电荷:42nC@10V
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
功率:2W
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3025LFG-7
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
输入电容:605pF@15V
ECCN:EAR99
功率:2W
导通电阻:18mΩ@7.8A,10V
连续漏极电流:7.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存: