品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13GTA
输入电容:219pF@30V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.7A
漏源电压:60V
栅极电荷:5.9nC@10V
导通电阻:390mΩ@900mA,10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP7A17GTA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:160mΩ@2.1A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
漏源电压:70V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
输入电容:635pF@40V
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A17KTC
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:424pF@50V
导通电阻:350mΩ@1.4A,10V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.7nC@10V
漏源电压:100V
功率:2W
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A17GQTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:424pF@50V
导通电阻:350mΩ@1.4A,10V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10.7nC@10V
漏源电压:100V
功率:2W
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6023LE-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:28mΩ@5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
输入电容:2569pF@30V
栅极电荷:53.1nC@10V
类型:P沟道
连续漏极电流:7A€18.2A
阈值电压:3V@250µA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3026SFDE-7
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:19mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:10.4A
栅极电荷:19.6nC@10V
类型:P沟道
输入电容:1204pF@15V
阈值电压:3V@250µA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP0545GTA
阈值电压:4.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:75mA
类型:P沟道
导通电阻:150Ω@50mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:120pF@25V
功率:2W
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A17KTC
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:424pF@50V
导通电阻:350mΩ@1.4A,10V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10.7nC@10V
漏源电压:100V
功率:2W
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP4A16GTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:60mΩ@3.8A,10V
漏源电压:40V
栅极电荷:26.1nC@10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
输入电容:1007pF@20V
连续漏极电流:6.4A
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A17GQTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:424pF@50V
导通电阻:350mΩ@1.4A,10V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10.7nC@10V
漏源电压:100V
功率:2W
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP4525GTA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:73pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@1mA
漏源电压:250V
栅极电荷:3.45nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
连续漏极电流:265mA
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP2110GTA
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@375mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:310mA
输入电容:100pF@25V
漏源电压:100V
功率:2W
阈值电压:3.5V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A17GQTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
连续漏极电流:3A
导通电阻:125mΩ@2.2A,10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:17.7nC@10V
输入电容:637pF@30V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13GTA
输入电容:219pF@30V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.7A
漏源电压:60V
栅极电荷:5.9nC@10V
导通电阻:390mΩ@900mA,10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2010UFV-7
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:9.5mΩ@3.6A,4.5V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
输入电容:3350pF@10V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A17GTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
连续漏极电流:3A
导通电阻:125mΩ@2.2A,10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:17.7nC@10V
输入电容:637pF@30V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP0545GTA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:75mA
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:450V
阈值电压:4.5V@1mA
类型:P沟道
导通电阻:150Ω@50mA,10V
输入电容:120pF@25V
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP2110GTA
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@375mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:310mA
输入电容:100pF@25V
漏源电压:100V
功率:2W
阈值电压:3.5V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A16GTA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1022pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:45mΩ@4.2A,10V
栅极电荷:29.6nC@10V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP4525GTA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:73pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@1mA
漏源电压:250V
栅极电荷:3.45nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
连续漏极电流:265mA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2010UFV-13
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:9.5mΩ@3.6A,4.5V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
输入电容:3350pF@10V
漏源电压:20V
栅极电荷:103nC@10V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6023LE-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:28mΩ@5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
输入电容:2569pF@30V
栅极电荷:53.1nC@10V
类型:P沟道
连续漏极电流:7A€18.2A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A17KTC
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:424pF@50V
导通电阻:350mΩ@1.4A,10V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10.7nC@10V
漏源电压:100V
功率:2W
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A18GTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
导通电阻:150mΩ@2.8A,10V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:100V
功率:2W
栅极电荷:26.9nC@10V
输入电容:1055pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A17GTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
连续漏极电流:3A
导通电阻:125mΩ@2.2A,10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:17.7nC@10V
输入电容:637pF@30V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A17GTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
连续漏极电流:3A
导通电阻:125mΩ@2.2A,10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:17.7nC@10V
输入电容:637pF@30V
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP0545GTA
阈值电压:4.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:75mA
类型:P沟道
导通电阻:150Ω@50mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:120pF@25V
功率:2W
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13GTA
输入电容:219pF@30V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.7A
漏源电压:60V
栅极电荷:5.9nC@10V
导通电阻:390mΩ@900mA,10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A18GTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
导通电阻:150mΩ@2.8A,10V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
功率:2W
栅极电荷:26.9nC@10V
输入电容:1055pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6023LE-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:28mΩ@5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
输入电容:2569pF@30V
栅极电荷:53.1nC@10V
类型:P沟道
连续漏极电流:7A€18.2A
阈值电压:3V@250µA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存: