采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2120U-7
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：487pF@20V
栅极电荷：6.3nC@4.5V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4.2A，4.5V
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2301U-7
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：130mΩ@2.8A，4.5V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
连续漏极电流：2.5A
ECCN：EAR99
输入电容：608pF@6V
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2045UQ-7
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
连续漏极电流：4.3A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
输入电容：634pF@10V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2045UQ-7
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
连续漏极电流：4.3A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
输入电容：634pF@10V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2037U-13
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
栅极电荷：14.5nC@8V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：803pF@10V
连续漏极电流：6.1A
类型：P沟道
漏源电压：20V
导通电阻：28mΩ@2A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2100UQ-7
栅极电荷：9.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
连续漏极电流：4.3A
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.4V@250µA
导通电阻：38mΩ@3.5A，10V
类型：P沟道
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
输入电容：216pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2045U-13
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
连续漏极电流：4.3A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
输入电容：634pF@10V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2301U-7
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：130mΩ@2.8A，4.5V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
连续漏极电流：2.5A
输入电容：608pF@6V
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2120U-13
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：487pF@20V
栅极电荷：6.3nC@4.5V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4.2A，4.5V
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2045U-13
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
连续漏极电流：4.3A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
输入电容：634pF@10V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2045U-13
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
连续漏极电流：4.3A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
输入电容：634pF@10V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2100U-7
栅极电荷：9.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
连续漏极电流：4.3A
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.4V@250µA
导通电阻：38mΩ@3.5A，10V
类型：P沟道
漏源电压：20V
输入电容：216pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2100U-7
栅极电荷：9.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
连续漏极电流：4.3A
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.4V@250µA
导通电阻：38mΩ@3.5A，10V
类型：P沟道
漏源电压：20V
输入电容：216pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2045U-7
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
连续漏极电流：4.3A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
输入电容：634pF@10V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2045U-13
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
连续漏极电流：4.3A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
输入电容：634pF@10V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2045U-13
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
连续漏极电流：4.3A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
输入电容：634pF@10V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2301U-7
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：130mΩ@2.8A，4.5V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
连续漏极电流：2.5A
ECCN：EAR99
输入电容：608pF@6V
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2100UQ-7
栅极电荷：9.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
连续漏极电流：4.3A
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.4V@250µA
导通电阻：38mΩ@3.5A，10V
类型：P沟道
漏源电压：20V
输入电容：216pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2045U-13
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
连续漏极电流：4.3A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
输入电容：634pF@10V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110U-7
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：80mΩ@2.8A，4.5V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
输入电容：443pF@10V
连续漏极电流：3.5A
栅极电荷：6nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2045UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2120U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：487pF@20V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2045U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2120U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：487pF@20V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2120U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：487pF@20V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：21+
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2301U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608pF@6V
连续漏极电流：2.7A
类型：P-Channel
导通电阻：130mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2301U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608pF@6V
连续漏极电流：2.7A
类型：P-Channel
导通电阻：130mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2100UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：9.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：216pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：38mΩ@3.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2100U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：9.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：216pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：38mΩ@3.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
