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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：2.127nF@25V
连续漏极电流：7.1A€22.6A
类型：2个N沟道
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：19.4nC@10V
输入电容：1.03nF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@10V，4.5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：2.127nF@25V
连续漏极电流：7.1A€22.6A
类型：2个N沟道
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.2nC@10V
输入电容：166pF@40V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@10V，1.8A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：19.4nC@10V
输入电容：1.03nF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@10V，4.5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：2.127nF@25V
连续漏极电流：7.1A€22.6A
类型：2个N沟道
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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