品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D4UFA-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:28.7pF@15V
连续漏极电流:330mA
类型:P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D6UFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.8nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46.1pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2450UFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:52pF@16V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D6UFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.8nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46.1pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2004VK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2450UFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:52pF@16V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005LP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@3V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2400UFDQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37pF@16V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2400UFDQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37pF@16V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2990UFA-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@16V
连续漏极电流:510mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2400UFDQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37pF@16V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2450UFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:52pF@16V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2990UFA-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@16V
连续漏极电流:510mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2991UDJ-7A
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.5pF@15V
连续漏极电流:520mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D6UFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.8nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46.1pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2990UFA-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@16V
连续漏极电流:510mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D6UFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.8nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46.1pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005LP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@3V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D6UFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.8nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46.1pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005LP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@3V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D4UFA-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:28.7pF@15V
连续漏极电流:330mA
类型:P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005LP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@3V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2450UFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:52pF@16V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: