品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN5L06DMK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:305mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@50mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN5L06DMK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:305mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@50mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN5L06DMK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:305mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@50mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN5L06DMK-7
导通电阻:2Ω@50mA,5V
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:305mA
漏源电压:50V
类型:2N沟道(双)
工作温度:-65℃~150℃
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
阈值电压:900mV@100µA
连续漏极电流:300mA
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:20V
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
类型:2N沟道(双)
ECCN:EAR99
工作温度:-65℃~150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
阈值电压:900mV@100µA
连续漏极电流:300mA
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:20V
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
类型:2N沟道(双)
工作温度:-65℃~150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN5L06DMK-7
导通电阻:2Ω@50mA,5V
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:305mA
漏源电压:50V
类型:2N沟道(双)
工作温度:-65℃~150℃
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN5L06DMK-7
导通电阻:2Ω@50mA,5V
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:305mA
漏源电压:50V
类型:2N沟道(双)
工作温度:-65℃~150℃
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
阈值电压:900mV@100µA
连续漏极电流:300mA
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:20V
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
类型:2N沟道(双)
ECCN:EAR99
工作温度:-65℃~150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存: