采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：800mV
栅极电荷：600pC
包装方式：Reel
连续漏极电流：350mA
类型：MOSFET
导通电阻：1.6Ω
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：800mV
栅极电荷：600pC
包装方式：Reel
连续漏极电流：350mA
类型：MOSFET
导通电阻：1.6Ω
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：800mV
栅极电荷：600pC
包装方式：Reel
连续漏极电流：350mA
类型：MOSFET
导通电阻：1.6Ω
漏源电压：50V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：800mV
栅极电荷：600pC
包装方式：Reel
连续漏极电流：350mA
类型：MOSFET
导通电阻：1.6Ω
漏源电压：50V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：800mV
栅极电荷：600pC
包装方式：Reel
连续漏极电流：350mA
类型：MOSFET
导通电阻：1.6Ω
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP31D7L-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：2.6V@250μA
栅极电荷：360pC@4.5V
输入电容：19pF@15V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
导通电阻：900mΩ@420mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：800mV
栅极电荷：600pC
包装方式：Reel
连续漏极电流：350mA
类型：MOSFET
导通电阻：1.6Ω
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：1.23nC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：1.23nC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D9LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：1.4V@100μA
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输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.4Ω
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：1.5V@100μA
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连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP31D7L-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：2.6V@250μA
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输入电容：19pF@15V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
导通电阻：900mΩ@420mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP31D7L-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：2.6V@250μA
栅极电荷：360pC@4.5V
输入电容：19pF@15V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
导通电阻：900mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：1.23nC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D9LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：1.4V@100μA
栅极电荷：1.23nC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.4Ω
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：1.5V@100μA
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连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D9LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：1.4V@100μA
栅极电荷：1.23nC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.4Ω
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D9LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：1.4V@100μA
栅极电荷：1.23nC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.4Ω
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：800mV
栅极电荷：600pC
包装方式：Reel
连续漏极电流：350mA
类型：MOSFET
导通电阻：1.6Ω
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：1.23nC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP31D7L-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：2.6V@250μA
栅极电荷：360pC@4.5V
输入电容：19pF@15V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
导通电阻：900mΩ@420mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：800mV
栅极电荷：600pC
包装方式：Reel
连续漏极电流：350mA
类型：MOSFET
导通电阻：1.6Ω
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP31D7L-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：2.6V@250μA
栅极电荷：360pC@4.5V
输入电容：19pF@15V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
导通电阻：900mΩ@420mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP31D7L-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：2.6V@250μA
栅极电荷：360pC@4.5V
输入电容：19pF@15V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
导通电阻：900mΩ@420mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：1.23nC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D9LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：1.4V@100μA
栅极电荷：1.23nC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.4Ω
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：1.23nC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：1.23nC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：800mV
栅极电荷：600pC
包装方式：Reel
连续漏极电流：350mA
类型：MOSFET
导通电阻：1.6Ω
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LV-7
输入电容：48pF@5V
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
阈值电压：1.5V@100μA
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：1.23nC@10V
功率：430mW
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
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