采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3300UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：193pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2106ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@18V
连续漏极电流：450mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1008UFDF-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.4nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：995pF@6V
连续漏极电流：12.2A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2065UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1008UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：23.4nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：995pF@6V
连续漏极电流：12.2A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3300U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：193pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@5V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3300U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：193pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1008UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：23.4nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：995pF@6V
连续漏极电流：12.2A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1008UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：23.4nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：995pF@6V
连续漏极电流：12.2A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1008UFDF-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.4nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：995pF@6V
连续漏极电流：12.2A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1008UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：23.4nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：995pF@6V
连续漏极电流：12.2A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2106ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@18V
连续漏极电流：450mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
