品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@40V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2106ASTZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:75pF@18V
连续漏极电流:450mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2106A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:散装
输入电容:75pF@18V
连续漏极电流:450mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140LQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@40V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@40V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@40V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@40V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@40V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@40V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2106A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:散装
输入电容:75pF@18V
连续漏极电流:450mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2106A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:散装
输入电容:75pF@18V
连续漏极电流:450mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206AV
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206AV
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@40V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206AV
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@40V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@40V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@40V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@40V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2106A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:散装
输入电容:75pF@18V
连续漏极电流:450mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2106ASTZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:75pF@18V
连续漏极电流:450mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140LQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@40V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140LQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@40V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2106A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:散装
输入电容:75pF@18V
连续漏极电流:450mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206AV
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206AV
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140LQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@40V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2106A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:散装
输入电容:75pF@18V
连续漏极电流:450mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: