采购热线 400-661-9010
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@1mA
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：230mA
类型：1个P沟道
导通电阻：14Ω@10V，200mA
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDB-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@10V，1.8A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051L-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：2.2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@5V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDB-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDB-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@10V，1.8A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDB-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1.3V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：864pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：77mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDB-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051L-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：2.2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@5V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1014UFDF-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
输入电容：515pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1014UFDF-13
栅极电荷：6.4nC@4.5V
连续漏极电流：8A
漏源电压：12V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
阈值电压：1V@250μA
导通电阻：16mΩ@2A，4.5V
输入电容：515pF@6V
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051L-7
连续漏极电流：5.8A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
阈值电压：2.2V@250μA
导通电阻：38mΩ@10V，5.8A
输入电容：424pF@5V
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDB-7
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
类型：2个N沟道
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
连续漏极电流：6A
输入电容：486pF@10V
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@10V，1.8A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@10V，1.8A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@10V，1.8A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDB-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1014UFDF-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
输入电容：515pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1014UFDF-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
输入电容：515pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1014UFDF-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
输入电容：515pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1014UFDF-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
输入电容：515pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1014UFDF-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
输入电容：515pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：393pF@15V
连续漏极电流：7.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：20mΩ@10V，9A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@10V，1.8A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDB-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：23.4nC@8V
输入电容：995pF@6V
连续漏极电流：12.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@10V，1.8A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDB-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
