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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4036LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.12W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN6068LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.12W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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类型：N沟道
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漏源电压：40V
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连续漏极电流：8.5A
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规格型号(MPN)：ZXMN6A08KTC
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功率：2.12W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：5.36A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
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输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：5.36A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
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ECCN：EAR99
栅极电荷：10.3nC@10V
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输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
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功率：2.12W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
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输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
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ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
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输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：5.36A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
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栅极电荷：5.8nC@10V
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连续漏极电流：5.36A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
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功率：2.12W
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输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
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功率：2.12W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
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输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：2.12W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：DMN4036LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.12W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
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连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
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连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
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功率：2.12W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6068LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.12W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6068LK3-13
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功率：2.12W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
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输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：8.5A
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导通电阻：36mΩ@12A，10V
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栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@12A，10V
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