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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN15H310SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@25V
连续漏极电流：2A€7.1A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN15H310SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@25V
连续漏极电流：2A€7.1A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH3004LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@15V
连续漏极电流：21A€75A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT68M8LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2107pF@30V
连续漏极电流：28.9A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：DMT68M8LSS-13
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输入电容：2107pF@30V
连续漏极电流：28.9A
类型：N沟道
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规格型号(MPN)：DMN15H310SE-13
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功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
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输入电容：405pF@25V
连续漏极电流：2A€7.1A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
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规格型号(MPN)：DMN15H310SE-13
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栅极电荷：8.7nC@10V
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输入电容：405pF@25V
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导通电阻：310mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
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连续漏极电流：2A€7.1A
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导通电阻：310mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
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规格型号(MPN)：DMT68M8LSS-13
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功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2107pF@30V
连续漏极电流：28.9A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：2A€7.1A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@1.5A，10V
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规格型号(MPN)：DMN15H310SE-13
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功率：1.9W
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导通电阻：310mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
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规格型号(MPN)：DMN15H310SE-13
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阈值电压：3V@250µA
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类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
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规格型号(MPN)：DMTH3004LK3-13
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栅极电荷：44nC@10V
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输入电容：2370pF@15V
连续漏极电流：21A€75A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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功率：1.9W
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栅极电荷：44nC@10V
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连续漏极电流：21A€75A
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漏源电压：60V
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导通电阻：310mΩ@1.5A，10V
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导通电阻：310mΩ@1.5A，10V
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规格型号(MPN)：DMN15H310SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
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栅极电荷：8.7nC@10V
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输入电容：405pF@25V
连续漏极电流：2A€7.1A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
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规格型号(MPN)：DMT68M8LSS-13
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功率：1.9W
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栅极电荷：31.8nC@10V
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输入电容：2107pF@30V
连续漏极电流：28.9A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：DMTH3004LK3-13
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功率：1.9W
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栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@15V
连续漏极电流：21A€75A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
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规格型号(MPN)：DMTH3004LK3-13
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功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
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输入电容：2370pF@15V
连续漏极电流：21A€75A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMTH3004LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@15V
连续漏极电流：21A€75A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT68M8LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：31.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2107pF@30V
连续漏极电流：28.9A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH3004LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@15V
连续漏极电流：21A€75A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN15H310SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@25V
连续漏极电流：2A€7.1A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN15H310SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@25V
连续漏极电流：2A€7.1A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT68M8LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2107pF@30V
连续漏极电流：28.9A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN15H310SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@25V
连续漏极电流：2A€7.1A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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连续漏极电流：2A€7.1A
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导通电阻：310mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
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栅极电荷：31.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2107pF@30V
连续漏极电流：28.9A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13.5A，10V
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