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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H4D9HK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：4.9Ω@1.05A，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H4D9HK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：4.9Ω@1.05A，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H4D9HK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：4.9Ω@1.05A，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H4D9HK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：4.9Ω@1.05A，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H4D9HK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：4.9Ω@1.05A，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H4D9HJ3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：547pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：4.9Ω@1.05A，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H4D9HK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：4.9Ω@1.05A，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H4D9HJ3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：547pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：4.9Ω@1.05A，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H4D9HJ3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：547pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：4.9Ω@1.05A，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H4D9HK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：4.9Ω@1.05A，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H4D9HK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：4.9Ω@1.05A，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H4D9HK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：4.9Ω@1.05A，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H4D9HK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：4.9Ω@1.05A，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H4D9HK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：4.9Ω@1.05A，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H4D9HJ3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：547pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：4.9Ω@1.05A，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H4D9HK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：4.9Ω@1.05A，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H4D9HK3-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：4.9Ω@1.05A，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H4D9HJ3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：547pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：4.9Ω@1.05A，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H4D9HJ3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：547pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：4.9Ω@1.05A，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H4D9HK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：4.9Ω@1.05A，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H4D9HJ3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：547pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：4.9Ω@1.05A，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：75psc
规格型号(MPN)：DMP45H4D9HJ3
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
功率：104W
栅极电荷：13.7nC@10V
漏源电压：450V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
包装方式：管件
导通电阻：4.9Ω@1.05A，10V
输入电容：547pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：75psc
规格型号(MPN)：DMP45H4D9HJ3
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
功率：104W
栅极电荷：13.7nC@10V
漏源电压：450V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
包装方式：管件
导通电阻：4.9Ω@1.05A，10V
输入电容：547pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
