采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMD63N03XTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：135mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.04W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个N沟道
导通电阻：135mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.04W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个N沟道
导通电阻：135mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMD63N03XTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：135mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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功率：1.04W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个N沟道
导通电阻：135mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMD63N03XTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：135mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMD63N03XTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：135mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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