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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3135LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG2301LK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG2301LK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG6602SVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
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输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
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类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
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导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
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导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
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类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
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功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG2301LK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVTX-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V€420pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道互补型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3135LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVTX-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V€420pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道互补型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVTX-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V€420pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道互补型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
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功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3135LVT-7
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功率：840mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVTX-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V€420pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道互补型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2301LK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2301LK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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