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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6066SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4034SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4050SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：13.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN6066SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028USS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN6066SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2028USS-13
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功率：1.56W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2028USS-13
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功率：1.56W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN4034SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN4034SSS-13
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功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
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输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
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输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
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功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：DMP4050SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：13.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：DMN4034SSS-13
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功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
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输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
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功率：1.56W
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栅极电荷：10nC@10V
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连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP4050SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：13.9nC@10V
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输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN6066SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN4034SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4050SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：13.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4034SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028USS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028USS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6066SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4050SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：13.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：13.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4034SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028USS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6066SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6066SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028USS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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