采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：7.7nC@10V
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.6A
类型：2个N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1250UFEL-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：400mV
栅极电荷：1.9nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：2A
类型：MOSFET
导通电阻：450mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1250UFEL-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：400mV
栅极电荷：1.9nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：2A
类型：MOSFET
导通电阻：450mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：10.1nC@4.5V
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：40mΩ@4.5V，4.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4025LSDQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.64nF@20V
连续漏极电流：5.8A
类型：2个P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4025LSDQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.64nF@20V
连续漏极电流：5.8A
类型：2个P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4025LSDQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.64nF@20V
连续漏极电流：5.8A
类型：2个P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1250UFEL-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：400mV
栅极电荷：1.9nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：2A
类型：MOSFET
导通电阻：450mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1250UFEL-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：400mV
栅极电荷：1.9nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：2A
类型：MOSFET
导通电阻：450mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：4.6A
输入电容：820pF@15V
栅极电荷：10.1nC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：20V
阈值电压：1.2V@250μA
导通电阻：40mΩ@4.5V，4.6A
类型：1个P沟道
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：DMN1250UFEL-7
包装方式：Reel
栅极电荷：1.9nC
连续漏极电流：2A
导通电阻：450mΩ
阈值电压：400mV
漏源电压：12V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：MOSFET
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4025LSDQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.64nF@20V
连续漏极电流：5.8A
类型：2个P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4025LSDQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.64nF@20V
连续漏极电流：5.8A
类型：2个P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：10.1nC@4.5V
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：40mΩ@4.5V，4.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：21.1nC@10V
输入电容：948pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.25V@250μA
栅极电荷：7.3nC@4.5V
输入电容：443pF@16V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：3.4A
栅极电荷：7.3nC@4.5V
输入电容：443pF@16V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1.25V@250μA
漏源电压：20V
导通电阻：80mΩ@4.5V，4.5A
类型：1个P沟道
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
