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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：642pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：1.38W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：642pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
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功率：1.38W
阈值电压：2.1V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：642pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
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功率：1.38W
阈值电压：2.1V@250µA
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栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：642pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
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输入电容：642pF@25V
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类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
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输入电容：642pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
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输入电容：642pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
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类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
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类型：P沟道
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类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
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功率：1.38W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：642pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
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输入电容：642pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP3056L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：642pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP3056L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：642pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110LCP3-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：1.52nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
阈值电压：2.1V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：642pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：642pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：642pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：642pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.8nC@10V
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输入电容：642pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056L-7
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功率：1.38W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.8nC@10V
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连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：642pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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功率：1.38W
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输入电容：642pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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功率：1.38W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：642pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
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栅极电荷：11.8nC@10V
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输入电容：642pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：642pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110LCP3-7
工作温度：-55℃~150℃
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栅极电荷：1.52nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：642pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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