品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2104V-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@16V
连续漏极电流:2.1A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4306A
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:143pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:24mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6601LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:422pF@15V
连续漏极电流:3.8A€2.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:55mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6601LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:422pF@15V
连续漏极电流:3.8A€2.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:55mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6601LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:422pF@15V
连续漏极电流:3.8A€2.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:55mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6601LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:422pF@15V
连续漏极电流:3.8A€2.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:55mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2104V-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@16V
连续漏极电流:2.1A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2104V-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@16V
连续漏极电流:2.1A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:143pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:24mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6601LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:422pF@15V
连续漏极电流:3.8A€2.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:55mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:143pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:24mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6601LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:422pF@15V
连续漏极电流:3.8A€2.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:55mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:143pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:24mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4306AV
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6601LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:422pF@15V
连续漏极电流:3.8A€2.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:55mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:143pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:24mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:143pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:24mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:143pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:24mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6601LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:422pF@15V
连续漏极电流:3.8A€2.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:55mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6601LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:422pF@15V
连续漏极电流:3.8A€2.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:55mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4306A
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2104V-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@16V
连续漏极电流:2.1A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2104V-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@16V
连续漏极电流:2.1A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6601LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:422pF@15V
连续漏极电流:3.8A€2.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:55mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:143pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:24mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6601LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:422pF@15V
连续漏极电流:3.8A€2.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:55mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:143pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:24mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: