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    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-7 起订87个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-7 起订87个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13 起订68个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13 起订68个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012TQ-7 起订47个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012TQ-7 起订47个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012TQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN313DLT-7 起订48个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN313DLT-7 起订48个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN313DLT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36.3pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13 起订39个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13 起订39个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-7 起订14个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-7 起订14个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN313DLT-7 起订57个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN313DLT-7 起订57个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN313DLT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36.3pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN25D0UFA-7B 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN25D0UFA-7B 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN25D0UFA-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.36nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27.9pF@10V

    连续漏极电流:240mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@400mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UT-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UT-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2991UT-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:350pC@4.5V

    输入电容:21.5pF@15V

    连续漏极电流:300mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UT-13 起订35个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UT-13 起订35个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2991UT-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:350pC@4.5V

    输入电容:21.5pF@15V

    连续漏极电流:300mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN313DLT-7 起订18个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN313DLT-7 起订18个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN313DLT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36.3pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN313DLT-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN313DLT-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN313DLT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36.3pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-7 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-7 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-7 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-7 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D2LDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D2LDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN32D2LDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:39pF@3V

    连续漏极电流:400mA

    类型:2N沟道(双)共源

    导通电阻:1.2Ω@100mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D2LDF-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D2LDF-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN32D2LDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:39pF@3V

    连续漏极电流:400mA

    类型:2N沟道(双)共源

    导通电阻:1.2Ω@100mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN313DLT-7 起订67个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN313DLT-7 起订67个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN313DLT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36.3pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UT-13 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UT-13 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2991UT-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:350pC@4.5V

    输入电容:21.5pF@15V

    连续漏极电流:300mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN25D0UFA-7B 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN25D0UFA-7B 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN25D0UFA-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.36nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27.9pF@10V

    连续漏极电流:240mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@400mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D2LDF-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D2LDF-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN32D2LDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:39pF@3V

    连续漏极电流:400mA

    类型:2N沟道(双)共源

    导通电阻:1.2Ω@100mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN25D0UFA-7B 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN25D0UFA-7B 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN25D0UFA-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.36nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27.9pF@10V

    连续漏极电流:240mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@400mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D2LDF-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D2LDF-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN32D2LDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:39pF@3V

    连续漏极电流:400mA

    类型:2N沟道(双)共源

    导通电阻:1.2Ω@100mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012TQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012TQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012TQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN25D0UFA-7B 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN25D0UFA-7B 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN25D0UFA-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.36nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27.9pF@10V

    连续漏极电流:240mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@400mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN313DLT-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN313DLT-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN313DLT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36.3pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UT-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UT-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2991UT-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:350pC@4.5V

    输入电容:21.5pF@15V

    连续漏极电流:300mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D2LDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D2LDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN32D2LDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:39pF@3V

    连续漏极电流:400mA

    类型:2N沟道(双)共源

    导通电阻:1.2Ω@100mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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