品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012T-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.74nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:630mA
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012T-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.74nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:630mA
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012TQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.74nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:630mA
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN313DLT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36.3pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012T-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.74nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:630mA
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012T-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.74nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:630mA
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN313DLT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36.3pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN25D0UFA-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.9pF@10V
连续漏极电流:240mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2991UT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:350pC@4.5V
输入电容:21.5pF@15V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2991UT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:350pC@4.5V
输入电容:21.5pF@15V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN313DLT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36.3pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012T-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.74nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:630mA
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN313DLT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36.3pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012T-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.74nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:630mA
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012T-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.74nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:630mA
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012T-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.74nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:630mA
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D2LDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:39pF@3V
连续漏极电流:400mA
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012T-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.74nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:630mA
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D2LDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:39pF@3V
连续漏极电流:400mA
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN313DLT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36.3pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2991UT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:350pC@4.5V
输入电容:21.5pF@15V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN25D0UFA-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.9pF@10V
连续漏极电流:240mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D2LDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:39pF@3V
连续漏极电流:400mA
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN25D0UFA-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.9pF@10V
连续漏极电流:240mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D2LDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:39pF@3V
连续漏极电流:400mA
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012TQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.74nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:630mA
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN25D0UFA-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.9pF@10V
连续漏极电流:240mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN313DLT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36.3pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2991UT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:350pC@4.5V
输入电容:21.5pF@15V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D2LDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:39pF@3V
连续漏极电流:400mA
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: