品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN67D8L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:340mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:0.82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN67D8L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:340mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:0.82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN67D8L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:340mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:0.82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN67D8L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:340mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:0.82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN67D8L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:340mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN67D8L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:340mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D5UFO-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:300pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D5UFO-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:300pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D5UFO-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:300pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D5UFO-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:300pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN67D8L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:340mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN67D8L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:340mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN67D8L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:340mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:0.82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D5UFO-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:300pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN67D8L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:340mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D5UFO-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:300pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN67D8L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:340mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:0.82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D5UFO-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:300pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN67D8L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:340mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:0.82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN67D8L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:340mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:0.82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D5UFO-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:300pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D5UFO-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:300pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN67D8L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:340mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:0.82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN67D8L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:340mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:0.82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D5UFO-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:300pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D5UFO-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:300pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D5UFO-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:300pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D5UFO-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:300pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN67D8L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:340mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:0.82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN67D8L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:340mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:0.82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: