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    品牌: DIODES
    功率: 960mW
    当前匹配商品:40+
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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024UFDF-7 起订20个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024UFDF-7 起订20个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2024UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:647pF@10V

    连续漏极电流:7.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2F30FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:452pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024UFDF-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024UFDF-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2024UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:647pF@10V

    连续漏极电流:7.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2F30FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:452pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2F30FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:452pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2F30FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:452pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2F30FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:452pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024UFDF-7 起订22个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024UFDF-7 起订22个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2024UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:647pF@10V

    连续漏极电流:7.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024UFDF-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024UFDF-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2024UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:647pF@10V

    连续漏极电流:7.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2F30FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:452pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024UFDF-7 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024UFDF-7 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2024UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:647pF@10V

    连续漏极电流:7.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024UFDF-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024UFDF-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2024UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:647pF@10V

    连续漏极电流:7.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订数6000个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订数6000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    输入电容:452pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:45mΩ@4.5V,2.5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订750个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订750个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2F30FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:452pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订9000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订9000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2F30FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:452pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024UFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024UFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2024UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:647pF@10V

    连续漏极电流:7.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024UFDF-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024UFDF-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2024UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:647pF@10V

    连续漏极电流:7.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订15000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订15000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2F30FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:452pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订600个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订600个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2F30FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:452pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2F30FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:452pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2F30FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:452pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2F30FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:452pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订750个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订750个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2F30FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:452pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订9000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订9000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2F30FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:452pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订1200个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订1200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2F30FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:452pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订14个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订14个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2F30FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:452pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2F30FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:452pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2F30FHTA

    功率:960mW

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:4.1A

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    输入电容:452pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订750个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订750个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2F30FHTA

    功率:960mW

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:4.1A

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    输入电容:452pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2F30FHTA

    功率:960mW

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:4.1A

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    输入电容:452pF@10V

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