品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6023LSS-13
连续漏极电流:6.6A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
漏源电压:60V
输入电容:2569pF@30V
栅极电荷:53.1nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@5A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SVT-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
功率:1.2W
漏源电压:60V
栅极电荷:22.4nC@10V
输入电容:1287pF@25V
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6023LSS-13
连续漏极电流:6.6A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
漏源电压:60V
输入电容:2569pF@30V
栅极电荷:53.1nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@5A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SVTQ-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
功率:1.2W
漏源电压:60V
栅极电荷:22.4nC@10V
输入电容:1287pF@25V
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SVT-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:7.3A
功率:1.2W
漏源电压:60V
栅极电荷:17.2nC@10V
类型:P沟道
输入电容:969pF@30V
ECCN:EAR99
导通电阻:105mΩ@4.5A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SSDQ-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
漏源电压:60V
栅极电荷:17.2nC@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:P沟道
输入电容:969pF@30V
ECCN:EAR99
导通电阻:105mΩ@4.5A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SE-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:40mΩ@12A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
功率:1.2W
漏源电压:60V
栅极电荷:22.4nC@10V
输入电容:1287pF@25V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6050SSD-13
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1293pF@30V
连续漏极电流:4.8A
导通电阻:55mΩ@5A,10V
功率:1.2W
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SSD-13
输入电容:588pF@30V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.3A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:80mΩ@12A,10V
类型:2N沟道(双)
功率:1.2W
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6185SE-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:14nC@10V
功率:1.2W
漏源电压:60V
连续漏极电流:3A
导通电阻:150mΩ@2.2A,10V
类型:P沟道
输入电容:708pF@30V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SSD-13
输入电容:588pF@30V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.3A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:80mΩ@12A,10V
类型:2N沟道(双)
功率:1.2W
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6023LSS-13
连续漏极电流:6.6A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
漏源电压:60V
输入电容:2569pF@30V
栅极电荷:53.1nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@5A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SSD-13
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
漏源电压:60V
类型:2个P沟道(双)
输入电容:969pF@30V
ECCN:EAR99
导通电阻:105mΩ@4.5A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH6050SFGQ-7
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:24.1nC@10V
输入电容:1293pF@30V
导通电阻:50mΩ@7A,10V
功率:1.2W
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
连续漏极电流:6.1A€18A
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SSD-13
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
漏源电压:60V
类型:2个P沟道(双)
输入电容:969pF@30V
ECCN:EAR99
导通电阻:105mΩ@4.5A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SSDQ-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
漏源电压:60V
栅极电荷:17.2nC@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:P沟道
输入电容:969pF@30V
ECCN:EAR99
导通电阻:105mΩ@4.5A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH6050SFGQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1293pF@30V
连续漏极电流:6.1A€18A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7.8A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6050SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1293pF@30V
连续漏极电流:4.8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:55mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:105mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SVTQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7.8A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SVTQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6185SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:708pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@2.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:588pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:80mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6023LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:53.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2569pF@30V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:588pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:80mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SVTQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: