品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3056LSSQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@15V
连续漏极电流:4.9A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2075UVT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:8.8nC@4.5V
输入电容:642pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:75mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMP2075UVT-13
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功率:1.2W
阈值电压:1V@250μA
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连续漏极电流:3.8A
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导通电阻:75mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
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功率:1.2W
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导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
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功率:1.2W
阈值电压:1V@250μA
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连续漏极电流:3.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:75mΩ@4A,4.5V
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规格型号(MPN):DMP2075UVT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:8.8nC@4.5V
输入电容:642pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:75mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
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规格型号(MPN):DMP3056LSSQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.3nC@10V
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输入电容:969pF@15V
连续漏极电流:4.9A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
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规格型号(MPN):DMP3056LSSQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:17.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@15V
连续漏极电流:4.9A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):DMP2075UVT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:1V@250μA
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连续漏极电流:3.8A
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导通电阻:75mΩ@4A,4.5V
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规格型号(MPN):DMP2075UVT-13
工作温度:-55℃~+150℃
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阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:8.8nC@4.5V
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连续漏极电流:3.8A
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导通电阻:75mΩ@4A,4.5V
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功率:1.2W
阈值电压:2.1V@250μA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@15V
连续漏极电流:4.9A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
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分类:Mosfet场效应管
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规格型号(MPN):DMP3056LSSQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2.1V@250μA
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:4.9A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
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规格型号(MPN):DMP3056LSSQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
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连续漏极电流:4.9A
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规格型号(MPN):DMP3056LSSQ-13
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行业应用:工业,汽车
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功率:1.2W
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类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3056LSSQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:4.9A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2075UVT-13
连续漏极电流:3.8A
输入电容:642pF@10V
栅极电荷:8.8nC@4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
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功率:1.2W
类型:1个P沟道
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3056LSSQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@15V
连续漏极电流:4.9A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3056LSSQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@15V
连续漏极电流:4.9A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24.1nC@10V
输入电容:1.293nF@30V
连续漏极电流:6.1A€18A
类型:1个P沟道
导通电阻:50mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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