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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2029USD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1171pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3015LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1415pF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3015LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1415pF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN6070SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：588pF@30V
连续漏极电流：3.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：80mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN6070SSD-13
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功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：588pF@30V
连续漏极电流：3.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：80mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
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阈值电压：1.5V@250µA
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输入电容：1171pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
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规格型号(MPN)：DMN6070SSD-13
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功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：588pF@30V
连续漏极电流：3.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：80mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
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功率：1.2W
阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：1415pF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：DMN2029USD-13
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ECCN：EAR99
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输入电容：1171pF@10V
连续漏极电流：5.8A
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导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
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阈值电压：3V@250µA
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输入电容：588pF@30V
连续漏极电流：3.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：80mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
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连续漏极电流：3.3A
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导通电阻：80mΩ@12A，10V
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连续漏极电流：8.4A
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导通电阻：15mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMN2029USD-13
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功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
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输入电容：1171pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMN6070SSD-13
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功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：588pF@30V
连续漏极电流：3.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：80mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6022SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2110pF@30V
连续漏极电流：6A€14A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1171pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
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功率：1.2W
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连续漏极电流：6A€14A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN6022SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2110pF@30V
连续漏极电流：6A€14A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3015LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
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输入电容：1415pF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN6070SSD-13
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功率：1.2W
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输入电容：588pF@30V
连续漏极电流：3.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：80mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
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输入电容：588pF@30V
连续漏极电流：3.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：80mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
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输入电容：2110pF@30V
连续漏极电流：6A€14A
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导通电阻：29mΩ@5A，10V
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输入电容：2110pF@30V
连续漏极电流：6A€14A
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导通电阻：29mΩ@5A，10V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6070SSD-13
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功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
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连续漏极电流：3.3A
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导通电阻：80mΩ@12A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN6070SSD-13
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功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：588pF@30V
连续漏极电流：3.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：80mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2029USD-13
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功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1171pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2029USD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1171pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3015LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
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阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1415pF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@12A，10V
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