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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1026UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：1.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：410mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：580mW
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：410mA
类型：2N沟道（双）
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规格型号(MPN)：DMC67D8UFDBQ-7
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功率：580mW
阈值电压：1.25V@250μA€2.5V@250μA
栅极电荷：0.4pC@4.5V€7.3nC@4.5V
输入电容：443pF@16V€41pF@25V
连续漏极电流：390mA€2.9A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V€72mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：60V€20V
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输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：410mA
类型：2N沟道（双）
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漏源电压：60V
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输入电容：443pF@16V€41pF@25V
连续漏极电流：390mA€2.9A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V€72mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：60V€20V
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阈值电压：1.8V@250µA
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输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：410mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@500mA，10V
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阈值电压：1.25V@250μA€2.5V@250μA
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连续漏极电流：390mA€2.9A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V€72mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：60V€20V
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功率：580mW
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输入电容：32pF@25V
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@500mA，10V
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功率：580mW
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：410mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@500mA，10V
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