采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61P03FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A13FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：206pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A13FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：206pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61P03FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2B01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2B01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61N03FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@910mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2B01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61N03FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@910mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61N03FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@910mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61N03FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@910mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61P03FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A13FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：206pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A13FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：206pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2B01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A13FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：206pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61P03FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61N03FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@910mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61P03FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
