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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61N03FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@910mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@10V
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输入电容：150pF@25V
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类型：N沟道
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类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@910mA，10V
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阈值电压：1V@250µA
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阈值电压：1V@250µA
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连续漏极电流：1.4A
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功率：625mW
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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功率：625mW
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栅极电荷：4.1nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@910mA，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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功率：625mW
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连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@910mA，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
生产批次：10+
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工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@910mA，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：4.1nC@10V
输入电容：150pF@25V
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@910mA，10V
阈值电压：1V@250µA
功率：625mW
ECCN：EAR99
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61N03FTA
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漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：4.1nC@10V
输入电容：150pF@25V
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@910mA，10V
阈值电压：1V@250µA
功率：625mW
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：4.1nC@10V
输入电容：150pF@25V
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@910mA，10V
阈值电压：1V@250µA
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