品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61P02FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:P沟道
导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N02FTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:303pF@15V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N02FTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:303pF@15V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:303pF@15V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N02FTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61P02FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:P沟道
导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:303pF@15V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61P02FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:P沟道
导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:303pF@15V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N02FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N02FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N02FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N02FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61P02FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:P沟道
导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N02FTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N02FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N02FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N02FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:303pF@15V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:303pF@15V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N02FTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61P02FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:P沟道
导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N02FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:303pF@15V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: