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    品牌: DIODES
    功率: 625mW
    类型: N沟道
    当前匹配商品:400+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3306A 起订4000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3306A 起订4000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN3306A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:35pF@18V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3B01FTA 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3B01FTA 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3B01FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:2.93nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:258pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@1.7A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A07FQTA 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A07FQTA 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A07FQTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:3.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:166pF@40V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTC 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTC 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61N02FTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:303pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A07FTA 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A07FTA 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A07FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:3.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:166pF@40V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310A 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310A 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN3310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:40pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTC 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTC 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61N02FTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A07FTA 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A07FTA 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A07FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:3.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:166pF@40V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA 起订14个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA 起订14个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:303pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:303pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A01FTA 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A01FTA 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A01FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:3.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A07FTA 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A07FTA 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A07FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:2.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@50V

    连续漏极电流:700mA

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTC 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTC 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61N02FTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A07FTA 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A07FTA 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A07FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:2.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@50V

    连续漏极电流:700mA

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A07FTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A07FTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A07FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@50V

    连续漏极电流:700mA

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310A 起订20个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310A 起订20个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN3310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:40pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B01FTA 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B01FTA 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2B01FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:370pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B01FTA 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B01FTA 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2B01FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:370pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310A 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310A 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN3310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:40pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N03FTA 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N03FTA 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61N03FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@910mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B01FTA 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B01FTA 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2B01FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:370pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310ASTZ 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310ASTZ 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN3310ASTZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A01FTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A01FTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A01FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3B01FTA 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3B01FTA 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3B01FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:2.93nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:258pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@1.7A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A07FTA 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A07FTA 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A07FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:3.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:166pF@40V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N03FTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N03FTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61N03FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@910mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A01FTA 起订165000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A01FTA 起订165000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A01FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:3.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310ASTZ 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310ASTZ 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN3310ASTZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N03FTA 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N03FTA 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61N03FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@910mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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