品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61P03FTA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.1A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:140pF@25V
类型:P沟道
栅极电荷:4.8nC@10V
阈值电压:1V@250µA
功率:625mW
ECCN:EAR99
导通电阻:350mΩ@600mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A01FTA
栅极电荷:3.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:1.8A
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:625mW
输入电容:190pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N03FTA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:4.1nC@10V
输入电容:150pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@910mA,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:625mW
ECCN:EAR99
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N03FTA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:4.1nC@10V
输入电容:150pF@25V
类型:N-Channel
导通电阻:220mΩ@910mA,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:625mW
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A13FTA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:206pF@15V
类型:P沟道
导通电阻:210mΩ@1.4A,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:625mW
栅极电荷:6.4nC@10V
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N03FTA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:4.1nC@10V
输入电容:150pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@910mA,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:625mW
ECCN:EAR99
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A13FTA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:206pF@15V
类型:P沟道
导通电阻:210mΩ@1.4A,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:625mW
栅极电荷:6.4nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N03FTA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:4.1nC@10V
输入电容:150pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@910mA,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:625mW
ECCN:EAR99
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A13FTA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:206pF@15V
类型:P沟道
导通电阻:210mΩ@1.4A,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:625mW
栅极电荷:6.4nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM62P03E6TA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
栅极电荷:10.2nC@10V
阈值电压:1V@250µA
功率:625mW
导通电阻:150mΩ@1.6A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3B01FTA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@1.7A,4.5V
阈值电压:700mV@250µA
输入电容:258pF@15V
功率:625mW
栅极电荷:2.93nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A13FTA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:206pF@15V
类型:P沟道
导通电阻:210mΩ@1.4A,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:625mW
栅极电荷:6.4nC@10V
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3B01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:2.93nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:258pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61P03FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:P-Channel
导通电阻:350mΩ@600mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:206pF@15V
连续漏极电流:1.6A
类型:P-Channel
导通电阻:210mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:10+
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N03FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:N-Channel
导通电阻:220mΩ@910mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM62P03E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N03FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:N-Channel
导通电阻:220mΩ@910mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:206pF@15V
连续漏极电流:1.6A
类型:P-Channel
导通电阻:210mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61P03FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:350mΩ@600mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM62P03E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N03FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@910mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3B01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:2.93nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:258pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N03FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@910mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM62P03E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N03FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@910mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3B01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:2.93nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:258pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: